奥様とお子ちゃまが10日ほど お里帰りすることになった.
チャンス！　久しぶりに工作だ.
パワーアンプの基盤を,以前からプランを温めていた電流帰還形に交換することにする.

　これまでの回路はTrの差動2段型(基本回路は下左図),出力段はMOS-FETの無帰還P-Pだ.

　実はこれまでにも,電流帰還型の実績はあった(基本回路は上右図). 自作プリアンプは電流帰還型のバッファーアンプ(ゲイン1)+600Ωの抵抗切替ATTという組み合わせで,さらに電流帰還型のヘッドフォンアンプ(ゲイン1)を内蔵する構成になっている.

　この電流帰還バッファーアンプはかつてJ-FETのソースフォロアーP-Pバッファーアンプ基盤を試聴の末に打ち破り,みごとシャシーに収まった実績がある.
その時の感想といえば,厚みや柔らかさには欠けるが,シャキッとあいまいさがなくハイスピードな音だったことを記憶している.

　今回製作した回路は下図のとおり. 四国ではオーディオ用の部品などなかなか手に入るはずもなく,かといって通販で買う時間もないことから,既設の基盤の部品をすべて取り外すことから始め, なんとか手持ちの部品をやりくりして数日の突貫工事で完成させた.　(もうヘロヘロじぇンじぇン寝てません,おかげで仕事中は居眠りばかりだ).

回路図(click here)

いよいよ試聴

ガ〜ン　音が悪い！

　情報量自体が全然たいしたことない.やはり作ったことのない新型を数日で組み上げただけで,そう簡単にいい音になるはずないか、、、、.今まで作っていたときは半年以上掛けて,少しずつチューンしていたのだ. しかし音の傾向を調整することはできても,情報量自体があまり多いと感じられないだけに,根本的に失敗の回路構成なのかもしれない.
　あまりにも音が前に来なかったので,とりあえず調整として帰還抵抗を2KΩと200Ωの組み合わせから5.1kΩと200Ωの組み合わせに替えてみた.これで音は前に伸びるようになったが安っぽい響きになってしまった. 間をとって5.1kを3〜4k程度に替えたかったが,手持ちの部品がなく,しかたなく5.1kに並列に10kをつないでみる.

なんとかバランスとしては整ってきた.
今までの電圧帰還型ではトータル帰還の帰還率を変えるより,差動2段目のエミッタに挿入する局部帰還抵抗を変えるほうが音質調整はしやすかったのだが,やはり電流帰還では多少やりかたが違うようだ..

まあこんなもんか, , ,　もう疲れたから残りの数日はゆっくり音楽を聴いて過ごすとしよう.

骨折り損のくたびれもうけ,でも久しぶりの工作は楽しかった.

完